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电子元器件详细资料 » IC[28694] » SI4409DY-T1-E3
型号:SI4409DY-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.2 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds332pF @ 50V
功率_最大4.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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SI4409DY-T1-E3相关型号

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